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GAA晶体管量产化的关键技术障碍及行业突破路径分析
引言
随着半导体工艺节点推进至3nm及以下，传统FinFET结构逼近物理极限，全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around, GAA）成为延续摩尔定律的核心技术。然而，从实验室研发到大规模量产，GAA晶体管仍面临多重技术挑战。本文从材料、工艺、设计协同和良率控制四大维度，系统分析当前技术障碍及行业解决方案。
一、纳米片堆叠与材料工程挑战
1. 纳米片形貌控制
GAA的核心结构由垂直堆叠的硅纳米片（Si Nanosheet）构成，其厚度需控制在5nm以下且均匀性偏差
[本文先搜小芯网络搜集，仅供参考] |
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