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先进制程芯片发热问题的系统解决方案
随着半导体工艺节点不断缩小至5nm、3nm甚至更小，芯片发热问题日益严峻。作为存储半导体领域的专家，我将从专业角度全面分析这一挑战的本质原因，并详细介绍当前业界最前沿的解决方案。
一、先进制程发热问题的本质原因
1.1 晶体管密度与漏电流的指数增长
密度提升：7nm节点晶体管密度约100MTr/mm²，而3nm节点可达300MTr/mm²
漏电流增加：栅极氧化层厚度降至1nm以下，量子隧穿效应显著增强
静态功耗占比：在3nm节点，静态功耗可占总功耗40%以上
1.2 互连电阻的显著增加
铜互连电阻率：特征尺寸
[本文先搜小芯网络搜集，仅供参考] |
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